LPCVD化学相沉积设备
用途：用于半导体器件工艺中氮化硅、二氧化硅、多晶硅的薄膜制备
特点：一次设定自动完成，可另配气柜。真空系统可选配进口机组
主要技术指标：制备3-4吋氮化硅、多晶硅和二氧化硅薄膜；温度：400~900℃；
恒温区600mm±0.5℃；真空系统机械泵+罗茨泵，配有抽气冷井；
控温器采用进口5吋触摸屏；通入气体SIH4/NH3/N2;
进口质量流量计控制；阀门用进口气动阀和减压阀；动作顺序为PLC编程控制；
薄膜压力控制器加阀闭环控制压强
青岛育豪微电子设备有限公司
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2014-3-10 8:53:52
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