产品应用：主要用于2～6英寸锗单晶、砷化镓等化合物晶体的生长

产品特点：
◆工业计算机控制系统（WINDOWS 系统界面，操作方便简洁）
◆关键部件均采用进口，确保设备的高可靠性
◆控温精度高，温区控温稳定性好
◆具有断电报警、超温/欠温报警、极限超温报警等多种安全保护功能
◆晶体生长均匀性好、重复性高
主要技术指标
◆工作温度：600～1280℃
◆适应晶体尺寸：2～6英寸
◆装料量：10Kg/炉
◆加热控制：7段控制
◆温区长度：800mm±0.5℃（1000～1280℃）
◆*大升温速率：15℃/min
◆升降行程：900mm
◆*小升降速率（VB）：0.1mm/h
配套设备：合成炉、铸锭炉、脱氧封管炉等