安泰科技超薄纳米晶材料进军第三代半导体行业

近日，安泰科技获得科技部“十四五”国家重点研发计划“高端功能与智能材料”支持，成功申请2022年度科技部重点专项——面向第三代半导体应用的高频软磁材料（共性关键技术）项目，标志着安泰科技超薄纳米晶材料正式进军第三代半导体行业。

以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体的发展已列入“十四五”规划成为国家战略，第三代半导体具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性，可以实现更好的电子浓度和运动控制，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件，在光电子和微电子领域具有重要的应用价值，目前市场火热的5G基站、新能源汽车和快充等更是它的重要应用领域。

第三代半导体的应用加速了电力电子装备朝着高频化、小型化、高效化方向发展，对与之配套的软磁材料高频性能提出了更高要求，高频阻抗特性、高频低损耗特性、超薄带材（＜14μm），传统的纳米晶带材及其元器件的性能指标还难于满足上述要求，从而严重影响第三代半导体器件的发展与应用，为此，亟需开发出新一代高频低损耗纳米晶带材及其元器件。安泰科技深耕非晶纳米晶行业四十余年，前期已经承担完成了特种软磁合金领域多项国家重点专项，形成了深厚的技术积淀与丰富的科研成果。作为国内*早从事纳米晶软磁材料开发与产业化的企业，开发出一系列纳米晶产品（Antainano），“纳米晶软磁合金及制品应用开发”荣获2008年国家科学技术进步二等奖，是全球产业化规模*大的国际三大非晶、纳米晶材料制造企业之一。面对超薄纳米晶带材市场的巨大需求与挑战，在具有自主知识产权的万吨级非晶带材连续化生产技术基础上，开发出宽幅超薄纳米晶带材连续化生产技术，解决了纳米晶带材宽度和厚度受限的难题，提高了单炉产量和带材厚度一致性，带宽可达120mm以上、带厚可达14μm，填补了国内*，为发展大功率高频变压器、促进灵活交流输电和电网智能化奠定了基础，荣获2021年冶金科学技术特等奖。

重任在肩、当仁不让。安泰科技将以实施国家重点专项为契机，更加奋发有为、不断创新突破，进一步发挥和巩固在非晶纳米晶领域的技术和产业优势，加快突破第三代半导体器件用高频软磁材料的技术瓶颈，加速推进高频高性能纳米晶软磁材料在SiC/GaN第三代半导体电源模块中的关键技术集成，以及在信息通讯、新能源汽车、5G终端等领域的示范应用，提升安泰科技在全球半导体产业链中的配套能力。

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