氮化硼制品-半导体扩散源氮化硼垫片-氮化硼P型片状扩散源
化学组成BN%：99% 其他成分：no 密度：＞2.15g/cm3 里氏硬度：450HL

抗弯强度：95Mpa 热膨胀系数（25℃-1200℃）：1~2（10-6/K)

热导率（常温）：35W/mk *高使用温度：空气900℃、真空1600℃、惰性气氛1800℃

常温电阻率：＞1014Ω.cm

产品优势

● 采用国际先进工艺高温氮化硼原料，确保材料纯度及耐高温性能。

● 材料致密度高，抗氧化性能好，导热性好，加工精度高，尤其适用于半导体、微电子等设备配件的用途。

● 具备高耐热性、低热膨胀系数、良好的抗热震性能以及良好的耐腐蚀性。

典型应用

● 应用于半导体行业的扩散源、离子注入设备备件等。

● MOCVD绝缘板，半导体单晶及III－V族化合物合成用的坩埚、基座等。

● 应用于分子束外延，原位合成GaAs 、InP 、GaP单晶的LEC系列坩埚等。