应用领域：
航空航天
制备碳化硅（SiC）、氮化硅（Si₃N₄）等陶瓷基复合材料（CMC），用于发动机耐高温部件。
钛合金、镍基超合金的扩散连接（Diffusion Bonding），提升结构件强度。
核能与军工
核燃料芯块（UO₂、ThO₂）的高密度烧结。
装甲陶瓷（B₄C、Al₂O₃）与金属的复合制备。
电子与半导体
热电材料（Bi₂Te₃、SiGe）的快速致密化，提升转换效率。
金刚石-铜复合散热基板的界面优化。
硬质材料与工具
超硬刀具（WC-Co、立方氮化硼cBN）的低温高压烧结。
多晶金刚石（PCD）的合成。
科研与新材料
高熵合金、MAX相陶瓷的块体制备。
纳米粉末材料的晶界控制与致密化。

技术特点
1、多场耦合工艺
温度：可达2200°C（石墨加热体）或2500°C（钨/钼加热体），控温精度±1°C。
压力：单向或双向加压（10~100 MPa），液压/机械驱动，保压稳定性±0.5%。
气氛：高真空（≤10⁻³ Pa）或惰性气体（Ar、N₂）保护，避免氧化。
2、高效致密化
同步施加热能与机械能，显著降低烧结温度（比传统烧结低200~500°C），抑制晶粒长大。
3、精密控制系统
PLC+触摸屏编程，可设定多段温度-压力曲线，实时监测位移、变形量等参数。
可选配**真空脱脂**功能，适用于粘结剂辅助成型工艺（如MIM）。
4、特殊结构设计
热区材料：石墨、钨或钼隔热屏，适应不同温度与化学环境。
模具兼容性：支持石墨、碳化钨等模具，适配复杂形状工件。
5、安全与扩展性
过压、超温、水冷故障自动保护。
可选配快速冷却系统（气淬/水淬），缩短工艺周期。