应用领域:
等离子体增强化学气相沉积（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD）是一种利用等离子体辅助的低温薄膜沉积技术，广泛应用于以下领域：

半导体与微电子
- 集成电路（IC）：沉积SiN₃、SiO₂等介电层，用于钝化、隔离和栅介质。
- MEMS器件：制备应力可调的SiN薄膜，用于传感器和微机械结构。
光伏与新能源
- 硅基太阳能电池：沉积减反射层（SiNₓ）和钝化层，提升光电转换效率。
- 钙钛矿太阳能电池：低温制备电子传输层（如SnO₂）和封装层。
显示与光学
- OLED/LCD显示：制备绝缘层、阻挡层（如SiNₓ），防止水氧渗透。
- AR/VR光学镀膜：沉积高折射率薄膜（如TiO₂、SiNₓ）用于透镜涂层。
柔性电子
- 柔性基板（PI/PET）：低温沉积ITO透明导电膜或封装层。
- 可穿戴设备：制备生物兼容性薄膜（如DLC）用于传感器保护。
科研与前沿材料
- 二维材料：可控生长过渡金属硫化物（如MoS₂）。
- 量子点器件：封装量子点发光层（QLED）。

技术特点:

1. 低温工艺优势
- 沉积温度：80~400℃，兼容塑料、聚合物等热敏感基底。
- 对比传统CVD：避免高温导致的基底变形或性能退化。
2. 等离子体增强反应
- 射频（RF）或微波等离子体：分解反应气体（如SiH₄/NH₃），提高沉积速率。
- 离子轰击效应：改善薄膜致密性和附着力。
3. 薄膜性能调控
- 成分可控：通过调节气体比例（如SiH₄/N₂O）获得SiOxNy渐变膜。
- 应力工程：压应力/张应力薄膜可通过功率和气压调节。
4. 设备配置特点
- 多腔体设计：避免交叉污染，支持批量生产。
- 在线监测：集成椭偏仪或光谱仪实时监控膜厚/折射率。
5. 工艺灵活性
- 支持多种模式：直接PECVD、远程等离子体、脉冲PECVD。
- 可选功能：紫外后处理（UV-Cure）提升薄膜性能。