应用领域：
1. 半导体与微电子
- 薄膜沉积：
- 集成电路：通过化学气相沉积（CVD）制备二氧化硅（SiO₂）、氮化硅（Si₃N₄）等绝缘层或钝化层。
- 金属互联：钨（W）、铜（Cu）的气相沉积用于芯片导线。
- 先进制程：
- 3D NAND：高深宽比结构的阶梯覆盖沉积。
- FinFET：原子层沉积（ALD）结合CVD实现纳米级薄膜均匀性。
2. 光电子与显示技术
- LED外延：金属有机气相沉积（MOCVD）生长GaN、AlGaN等材料，用于蓝光/白光LED和激光二极管。
- OLED显示：沉积有机发光层（如Alq₃）和透明导电层（ITO）。
3. 新能源与环保
- 太阳能电池：
- 非晶硅（a-Si）薄膜太阳能电池的CVD沉积。
- 钙钛矿材料的规模化气相合成。
- 燃料电池：质子交换膜（PEM）的铂催化剂涂层沉积。
4. 硬质涂层与表面工程
- 工具涂层：金刚石（DLC）、碳化钛（TiC）涂层提升刀具耐磨性。
- 航空航天：涡轮叶片的热障涂层（如氧化钇稳定氧化锆，YSZ）。
5. 纳米材料与前沿研究
- 碳纳米管/石墨烯：通过催化CVD法可控生长一维/二维纳米材料。
- 量子点：气相合成CdSe、InP量子点用于显示与生物成像。

二、技术特点：
1. 核心反应系统
- 反应室设计：
- 水平/垂直反应器：适应不同气流分布需求（如MOCVD多采用行星式旋转基座）。
- 热壁/冷壁：热壁炉（均匀加热）用于批量生产，冷壁炉（局部加热）适合高纯度沉积。
- 气体输送系统：
- 质量流量控制器（MFC）：精准控制反应气体比例（精度±0.5%）。
- 前驱体汽化：液态前驱体（如TEOS、TMGa）通过汽化器转化为气相。
2. 温度与压力控制
- 温控范围：
- 低温CVD：200~500°C（如聚合物薄膜沉积）。
- 高温CVD：800~1200°C（如SiC外延生长）。
- 压力调节：
- 常压CVD（APCVD）：简单快速，适合厚膜沉积。
- 低压CVD（LPCVD）：10⁻¹~10³ Pa，提升薄膜均匀性（如多晶硅沉积）。
- 等离子体增强CVD（PECVD）：引入射频/微波等离子体，降低沉积温度（<400°C）。

3. 沉积工艺技术
- 均匀性控制：
- 基片旋转/摆动：减少气流边界层影响（如MOCVD中基片转速50~1000 RPM）。
- 多区温控：抑制热应力导致的薄膜翘曲。
- 速率与厚度控制：
- 沉积速率：0.1~10 μm/min（如SiO&#8322;常压CVD可达5 μm/min）。
- 实时监控：激光干涉仪或椭偏仪在线测量膜厚。
4. 材料与兼容性
- 耐腐蚀材料：
- 石英/碳化硅反应室内衬：抵抗卤素气体（如Cl&#8322;、HF）腐蚀。
- 镍基合金气体管路：防止金属有机前驱体分解残留。
- 污染控制：
- 真空锁（Load Lock）：减少颗粒污染（半导体级洁净度Class 1）。
- 尾气处理：燃烧塔/洗涤塔处理有毒气体（如AsH&#8323;、PH&#8323;）。
5. 智能化与能效
- 工艺自动化：预设多步沉积配方，自动切换气体与温度。
- 能源优化：余热回收系统降低能耗（如反应室废气预热进气）。
- 远程诊断：物联网（IoT）接入，实时监控设备状态与工艺异常。