应用领域：
1. 高温材料制备
- 碳材料处理：石墨化碳纤维、高纯石墨制品的烧结（如电极、坩埚），提升导电性与耐高温性能。
- 碳化硅（SiC）晶体生长：在真空或惰性气氛中生长单晶碳化硅，用于功率半导体器件。
2. 半导体与光电子
- 硅外延片生产：石墨加热体提供均匀高温环境，沉积硅薄膜（如太阳能电池、集成电路）。
- 蓝宝石退火：真空下消除蓝宝石衬底内应力，提升LED外延质量。
3. 粉末冶金与陶瓷
- 硬质合金烧结：WC-Co等材料的高温烧结，石墨模具耐高温且不污染工件。
- 特种陶瓷合成：氮化硼（BN）、碳化硼（B₄C）的真空反应烧结，利用石墨发热体稳定性。
4. 金属热处理
- 高温合金热处理：钛合金、镍基合金的真空退火/固溶处理，避免氧化与脱碳。
- 磁性材料加工：钕铁硼（NdFeB）永磁体的真空烧结，优化磁性能。
5. 科研与前沿技术
- 石墨烯制备：化学气相沉积（CVD）法生长石墨烯，石墨炉提供均匀热场。
- 核材料研究：石墨慢化剂的高温性能测试，模拟核反应堆极端环境。

技术特点：
1. 石墨核心组件设计
- 发热体与隔热层：
- 石墨发热体：耐高温（可达3000°C）、抗热震，适用于快速升降温。
- 石墨隔热屏：多层反射结构（如石墨毡+碳纤维），减少热损失，热效率提升30%~50%。
- 炉膛材料：高纯等静压石墨，低灰分（灰分≤50 ppm），避免污染敏感材料。
2. 真空与气氛控制
- 真空系统：极限真空度≤5×10⁻³ Pa，配备分子泵+机械泵组，抑制高温氧化。
- 气氛兼容性：支持Ar、N₂、H₂等惰性/还原气体，流量控制精度±1%，氧含量≤1 ppm。
3. 高温与均匀性
- 温度范围：室温~3000°C（分阶段扩展），多区独立控温（±2°C，高温段）。
- 热场均匀性：通过石墨发热体排布优化，炉内有效区温差≤±5°C（2000°C时）。
4. 高效加热与冷却
- 快速升温：升温速率可达20°C/min（2000°C以下），满足动态工艺需求。
- 冷却方式：
- 气冷：高纯惰性气体强制循环，降温速率可控（如10°C/min）。
- 水冷系统：炉壳与电极水冷结构，保障设备长期稳定运行。
5. 智能化与安全
- 工艺自动化：预设多段温度-真空曲线，支持工艺参数存储与远程监控。
- 实时监测：红外测温仪+热电偶双重反馈，数据记录与异常报警（如真空泄漏、过温）。
- 安全防护：
- 石墨防氧化保护：低温充氮、高温真空联锁机制。
- 过流/过压保护：自动断电与应急气体注入系统。